9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQH90N10V2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQH90N10V2参考价格2.98000美元。其他FQH90N10V2封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载FQH90N10V2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如FQH90N10V2价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
FQH44N10_F133带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供180 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为190 ns，Vgs栅源电压为25 V，Id连续漏电流为48 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为39mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为90ns，典型接通延迟时间为19ns，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
FQH8N100C是MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.225401盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如50 ns，典型的关闭延迟时间设计为122 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为95 ns，器件的漏极电阻为1.45欧姆，Pd功耗为225 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为80 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQH50N50，电路图由FSC制造。FQH50N50采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
FQH70N15，带有Fairchild制造的EDA/CAD模型。FQH70N15采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
