特色
- 48A，100V，RDS（开启）=39mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=24A
- 低栅极电荷（典型值48nC）
- 低铬（典型值85pF）
- 100%雪崩测试
- 175°C最大结温额定值
应用
- 其他工业
FQH44N10
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 180W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥9.44474
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.44
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1800 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 48A (Tc)
- 最大功耗 180W（Tc）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 导通电阻 Rds(ON) 39毫欧姆 @ 24A, 10V
FQH44N10 产品详情
该N沟道增强型功率MOSFET使用专有的平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻，并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQH44N10 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQH35N40 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.67709 | |
 | FQH18N50V2 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 277W（Tc） 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.28012 | |
 | FQH90N10V2 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.58384 | |
 | FQH140N10 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥50.99002 | |
 | FQH8N100C | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 225W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.39937 |
| FQH44N10 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 180W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.44474 |
 | FQH44N10-F133 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Tc) 最大功耗: 180W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.99731 |
 | FQH70N10 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.77216 |
 | FQH18N50V2 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 277W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥28.11694 |
 | FQH90N15 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.61713 |
FQH44N10所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQH44N10 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQH44N10价格参考￥9.444742，你可以下载 FQH44N10中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQH44N10规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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