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IPB180N04S4-01是MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T1系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于IPB180NO4S401ATMA1 IPB180NO 4S401XT SP000705694的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.056438盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-263-7包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为188 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为180A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为135nC。
IPB180N04S4-H0是MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如44 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为24 ns，漏极-源极电阻Rds为1.1 mOhms，Qg栅极电荷为173 nC，Pd功耗为250 W，部件别名为IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180NO4S4H0XT SP000711248，包装为卷筒，包装盒为TO-263-7，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为180 A，下降时间为49 ns。
IPB180N04S400ATMA1是MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2，包括1个信道数量的信道，它们设计为与to-263-7封装盒一起工作。数据表中显示了用于卷盘的包装，该卷盘提供部件别名功能，如IPB180NO4S4-00 IPB180NO 4S400XT SP000646176，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
