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IPB100N10S3-05是MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3，包括OptiMOS-T系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPB100E10S305ATMA1 IPB100H10S305XT SP000261243，其提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为34ns，沟道模式为增强。
IPB100N08S2L-07是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如19 ns，典型的关闭延迟时间设计为85 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有串联的OptiMOS，上升时间为56 ns，漏极-源极电阻Rds为6.5 mOhms，Pd功耗为300 W，部件别名为IPB100N08S2L07ATMA1 IPB100N88S2L07XT SP000219053，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPB100N08S2L07ATMA1是MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPB100N88S2L-07 IPB100M08S2L07XT SP000219053，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
IPB100N10，带有FEELING制造的EDA/CAD模型。IPB100N10提供TO-263封装，是FET的一部分-单个。
