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IPB015N04L G是MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于卷盘封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPB015NO4LGATMA1 IPB015NO 4LGXT SP000387948,其提供单位重量功能,如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及OptiMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为250 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为21 ns,上升时间为13 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为120A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Vgs第th栅极-源阈值电压为2V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为108ns,典型导通延迟时间为25ns,Qg栅极电荷为346nC,并且前向跨导Min为60S,并且信道模式为增强。
IPB014N06NATMA1是MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6,包括2.8 V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于60 V,提供单位重量功能,如0.056438 oz,典型开启延迟时间设计为22 ns,该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件以OptiMOS商品名提供,该器件具有Si of Technology,系列为IPB014N06,上升时间为18 ns,漏极-源极电阻Rds为1.4 mOhms,Qg栅极电荷为106 nC,Pd功耗为214 W,部件别名为IPB014 N06N IPB014N6NXT SP000917408,封装外壳为TO-263-7,通道数为1通道,安装类型为SMD/SMT,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+175 C,Id连续漏极电流为180 A,正向跨导最小值为230 S,下降时间为14 ns,配置为单一。
IPB014N06N是MOSFET N-CH 60V 34A TO263-7,包括14 ns的下降时间,它们设计为以230 S/120 S的最小正向跨导,Id连续漏极电流工作。数据表注释中显示了用于180 a的电流,它的最大工作温度范围为+175 C,它的最小工作温度范围是-55 C,以及SMD/SMT安装类型,该设备也可以用作1信道数信道。此外,封装外壳为TO-263-7,该器件采用卷筒封装,该器件具有部件别名IPB014N06NATMA1 IPB014N6NXT SP000917408,Pd功耗为214 W,Qg栅极电荷为106 nC,Rds漏极-源极电阻为1.4 mOhms,上升时间为18 ns,系列为XPB014N06,技术为Si,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1N沟道,典型关断延迟时间为47ns,典型接通延迟时间为22ns,单位重量为0.056438oz,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Vgs栅极-源极电压为20V。