9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ848EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ848EP-T1_GE3参考价格1.73000美元。Vishay Siliconix SQJ848EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8。您可以下载SQJ848EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ844AEP-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）封装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供PowerPAKR SO-8 Dual等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8 Dual，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备最大功率为48W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1161pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，Rds On Max Id Vgs为16.6 mOhm@7.6A，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V。
SQJ844EPT1-GE3，带有VISAHY制造的用户指南。SQJ844EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
SQJ844EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQJ844EP-T1-GE3采用SO-8L封装，是IC芯片的一部分。
