Fairchild Semiconductor通过全面掌握质量、安全和可靠性标准，提供解决汽车市场复杂挑战的解决方案。
特色
- 低栅极电荷（典型值85nC）
- 低开关损耗
- 低铬（典型值170pF）
- 低开关损耗
- 100%雪崩测试
- 高可靠性
- 175°C最大结温额定值
- 高可靠性
- -33.5A，-100V，RDS（开启）=60mΩ（最大值）@VGS=-10 V，ID=-16.75A
应用
- 工业的
- 消费者和计算
- 照明
- 太阳能/UPS
- 音频/ATX
- 压舱物
FQB34P10TM
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33.5A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 155W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 22.95999 | 22.95999 |
| 10+ | 20.60605 | 206.06051 |
| 100+ | 16.56306 | 1656.30640 |
| 800+ | 13.60796 | 10886.36880 |
| 1600+ | 12.37087 | 19793.39680 |
- 库存: 0
- 单价: ¥22.95999
-
数量:
- +
- 总计: ¥22.96
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 场效应管类型 P-通道
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
- 最大功耗 3.75W (Ta), 155W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 33.5A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 16.75A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2910 pF@25 V
- 材质 -
FQB34P10TM 产品详情
汽车P沟道MOSFET，Fairchild半导体
FQB34P10TM 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FQB020ADC-007-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,485.37393 |
 | FQB020ADC-N07-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,180.90962 |
 | FQB020ADC-N07-S | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -40摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥1,485.37393 |
 | FQB020ADC-007-M | 东电化 - Lambda (TDK) | 过滤器类型: 直流电 电流属性: 20A 参数配置: 单级 工作温度: -55摄氏度～115摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥2,129.42223 |
 | FQB12N50TM | TRANS MOSFET N-CH 500V 12.1A 3PI | ¥7.7499 | |
 | FQB17N08TM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc） 最大功耗: 3.13W（Ta）、65W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.52101 | |
 | FQB7P06TM | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.83874 | |
 | FQB19N10LTM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | FQB5N60CTM | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 | |
 | FQB25N33TM-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 330伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 3.1W（Ta）、250W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥64.95433 |
FQB34P10TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQB34P10TM 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQB34P10TM价格参考￥22.959993，你可以下载 FQB34P10TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQB34P10TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
