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NVTFS6H854NTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、68W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.67747 7.67747
10+ 6.86626 68.66269
100+ 5.35467 535.46760
500+ 4.42323 2211.61950
1500+ 3.70365 5555.48550
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.80833
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.68
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 45A
  • 导通电阻 Rds(ON) 14.5毫欧姆@10A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.5A (Ta), 44A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 770 pF @ 40 V
  • 最大功耗 3.2W(Ta)、68W(Tc)
  • 材质 -

NVTFS6H854NTAG 产品详情

NVTFS6H854NTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVTFS6H854NTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVTFS6H854NTAG价格参考¥6.808326,你可以下载 NVTFS6H854NTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVTFS6H854NTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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