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TK8P60W5,RVQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.24050 12.24050
10+ 10.92953 109.29536
100+ 8.52054 852.05480
500+ 7.03894 3519.47000
1000+ 5.55711 5557.11500
2000+ 5.18664 10373.28200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.24050
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.24
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 最大功耗 80W (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 300 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 400A
  • 导通电阻 Rds(ON) 560毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 材质 -

TK8P60W5,RVQ 产品详情

  • 应用范围:开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 生成:DTMOSⅣ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 装配基地:中国

特色

  • 装配底座:3.7 V
  • 装配底座:500 mΩ
  • 装配底座:570 pF
  • 装配底座:18.5 nC

应用

开关稳压器
TK8P60W5,RVQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK8P60W5,RVQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK8P60W5,RVQ价格参考¥12.240501,你可以下载 TK8P60W5,RVQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK8P60W5,RVQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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