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TK8A65D(STA4,Q,M)

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220SIS 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.17967 18.17967
10+ 16.33998 163.39982
100+ 13.13499 1313.49990
500+ 10.79163 5395.81550
1000+ 8.94157 8941.57700
2000+ 8.40900 16818.01400
  • 库存: 21
  • 单价: ¥18.17968
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.18
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规格参数

  • 宽(英寸) 72
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大功耗 45W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 供应商设备包装 TO-220SIS
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1350 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 840毫欧姆 @ 4A, 10V

TK8A65D(STA4,Q,M) 产品详情

  • 应用范围:开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 生成:π-MOSⅦ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:马来西亚

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:840 mΩ
  • 装配底座:1350 pF
  • 装配底座:25 nC

应用

开关稳压器
TK8A65D(STA4,Q,M)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK8A65D(STA4,Q,M) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK8A65D(STA4,Q,M)价格参考¥18.179679,你可以下载 TK8A65D(STA4,Q,M)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK8A65D(STA4,Q,M)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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