这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。
增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层；符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列：温度范围从-55°C到+175°C
BSZ086P03NS3EGATMA1
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、69W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.03961 | 8.03961 |
| 10+ | 7.05458 | 70.54585 |
| 100+ | 5.40754 | 540.75490 |
| 500+ | 4.27447 | 2137.23500 |
| 1000+ | 3.56205 | 3562.05800 |
| 5000+ | 3.56205 | 17810.29000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.03962
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.04
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规格参数
- 宽（英寸） thirty-six
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 场效应管类型 P-通道
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 最大功耗 2.1W（Ta）、69W（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4785 pF @ 15 V
- 供应商设备包装 PG-TSDSON-8
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.1V@105A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13.5A（Ta）、40A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 8.6毫欧姆 @ 20A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 57.5 nC @ 10 V
- 材质 -
BSZ086P03NS3EGATMA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™P P沟道功率MOSFET
BSZ086P03NS3EGATMA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSZ0503NSIATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | TRENCH <= 40V | ¥2.92567 |
 | BSZ076N06NS3G | 英飞凌 (Infineon) | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥3.11445 |
 | BSZ0909NDXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 供应商设备包装: PG-WISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.87833 |
 | BSZ215CHXTMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A, 3.2A 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.40416 |
| BSZ340N08NS3G | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.82738 | |
| BSZ036NE2LS | 英飞凌 (Infineon) | ¥2.1888 | |
| BSZ0901NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥3.09634 | |
| BSZ0909NS | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.44568 | |
| BSZ096N10LS5 | 英飞凌 (Infineon) | ¥13.23495 | |
| BSZ0945ND | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.70643 |
BSZ086P03NS3EGATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，BSZ086P03NS3EGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BSZ086P03NS3EGATMA1价格参考￥8.039619，你可以下载 BSZ086P03NS3EGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BSZ086P03NS3EGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
