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IPB65R660CFDAATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 22.74270 22.74270
10+ 20.42497 204.24978
100+ 16.41530 1641.53090
500+ 13.48685 6743.42950
1000+ 12.84455 12844.55900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.77312
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥22.74
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 200A
  • 最大功耗 62.5W (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO263-3
  • 导通电阻 Rds(ON) 660毫欧姆 @ 3.2A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 543 pF @ 100 V
  • 材质 -

IPB65R660CFDAATMA1 产品详情

650V CoolMOS™ CFDA Superjunction(SJ)MOSFET是英飞凌第二代市场领先的汽车用高压CoolMOS™ 功率MOSFET。除了汽车行业所需的高质量和可靠性这一众所周知的特性外,650V CoolMOS™ CFDA系列还提供了集成快体二极管。

特色

  • 市场上第一款采用集成快体二极管的650V汽车认证技术
  • 硬换向期间的有限电压过冲–自限di/dt和dv/dt
  • 低栅极电荷值Q g
  • 体二极管重复换向时的低Q rr和低Q oss
  • 减少开启和开启延迟时间
  • 符合AEC Q101标准
  • 由于较高的击穿电压,增加了安全裕度
  • 减少EMI外观,易于设计
  • 更好的轻载效率
  • 降低开关损耗
  • 可能有更高的开关频率和/或更高的占空比
  • 高质量和可靠性

应用

  • 单向和双向DC-DC转换器
  • 蓄电池充电器
  • 校正、高压气体放电灯
IPB65R660CFDAATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPB65R660CFDAATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPB65R660CFDAATMA1价格参考¥19.773117,你可以下载 IPB65R660CFDAATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPB65R660CFDAATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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