SIJ482DP-T1-GE3

Name: SIJ482DP-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7139733-SIJ482DP-T1-GE3
Price: 13.616652 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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500+	8.08669	4043.34900
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3000+	6.93145	20794.36500

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规格参数

长（英寸） twenty-four
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A.
漏源电压标 (Vdss) 80 V
导通电阻 Rds(ON) 6.2毫欧姆 @ 20A, 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
包装/外壳 PowerPAKSO-8
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 71 nC @ 10 V
供应商设备包装 PowerPAKSO-8
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2425 pF@40 V
最大功耗 5W (Ta), 69.4W (Tc)

SIJ482DP-T1-GE3 产品详情

9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIJ482DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIJ482DP-T1-GE3参考价格1.88000美元。Vishay Siliconix SIJ482DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIJ482DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

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SIJ470DP-T1-GE3是MOSFET 100V9.1mOhm@10V58.8A N-CH，包括功率MOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET以及SO-8封装盒，该器件也可用于Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为56.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58.8A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为36.9nC，沟道模式为增强型。

SIJ458DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET中，封装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。

SIJ458DP-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SIJ458DP-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。

SIJ482DP-T1-GE3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SIJA74DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Ta），81.2A（Tc）最大功耗: 4.1W (Ta), 46.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.31533
SIJ420DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥10.35735
SIJ438DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥13.10965
SIJ186DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta），79.4A（Tc）最大功耗: 5W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.69148
SIJ150DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 45伏漏源电流 (Id) @ 温度: 30.9A (Ta), 110A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.56063
SIJ482DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥13.61665
SIJA52DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥10.57463
SIJ462ADP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.8A（Ta），39.3A（Tc）最大功耗: 3.6W (Ta), 22.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
SIJ478DP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.45779
SIJ438ADP-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 45.3A (Ta), 169A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 69.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.45779

SIJ482DP-T1-GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIJ482DP-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIJ482DP-T1-GE3价格参考￥13.616652，你可以下载 SIJ482DP-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIJ482DP-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！