9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIJ478DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIJ478DP-T1-GE3参考价格1.72000美元。Vishay Siliconix SIJ478DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIJ478DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIJ470DP-T1-GE3是MOSFET 100V9.1mOhm@10V58.8A N-CH，包括功率MOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于ThunderFET TrenchFET以及SO-8封装盒，该器件也可用于Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为56.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为58.8A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.1mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为36.9nC，沟道模式为增强型。
SIJ458DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET中，封装设计为在卷筒中工作，以及1信道数的信道。
SIJ420DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8。SIJ420DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8、N沟道20V 50A（Tc）4.8W（Ta）、62.5W（Tc）表面安装PowerPAK？SO-8，Trans-MOSFET N-CH 20V 32A 5引脚（4+Tab）PowerPAK SO T/R。
SIJ458DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIJ458DP-T1-E3采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
