AO4430

Name: AO4430
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7139945-AO4430
Price: 7.387758 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

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1+	7.38775	7.38775
10+	6.58379	65.83796
100+	5.13087	513.08700
500+	4.23854	2119.27250
1000+	3.34622	3346.22000
3000+	3.12313	9369.41400
6000+	3.04201	18252.10800

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规格参数

长（英寸） -
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
部件状态不适用于新设计
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大功耗 3W (Ta)
漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 124 nC@10 V
导通电阻 Rds(ON) 5.5毫欧姆 @ 18A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7270 pF @ 15 V
材质 -

AO4430 产品详情

AO4430/L采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、穿透抗扰度、体二极管特性和超低栅极电阻。该设备非常适合用作笔记本电脑CPU核心电源转换中的低端开关。
AO4430和AO4430L在电气上是相同的。
-符合RoHS
-AO4430L无卤素

特色

VDS（V）=30V
ID=18A（VGS=10V）
RDS（开启）<5.5mΩ （VGS=10V）
RDS（开启）<7.5mΩ （VGS=4.5V）
100%UIS测试！
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型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
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AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
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AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4430所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO4430 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4430价格参考￥7.387758，你可以下载 AO4430中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4430规格参数、现货库存、封装信息等信息！