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NVTFS4C05NTAG

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、102A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、68W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.95078 11.95078
10+ 10.71224 107.12249
100+ 8.61036 861.03600
500+ 7.07443 3537.21500
1500+ 6.43133 9646.99950
  • 库存: 0
  • 单价: ¥6.66347
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.95
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.6毫欧姆 @ 30A, 10V
  • 最大功耗 3.2W(Ta)、68W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Ta)、102A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1988 pF@15 V
  • 材质 -

NVTFS4C05NTAG 产品详情

采用3x3mm扁平引线封装的汽车功率MOSFET,设计紧凑高效,具有高热性能。可湿侧选项可用于增强光学检查。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP,适用于汽车应用。

特色

  • 低导通电阻
  • 最小化传导损耗
  • 低电容
  • 将驾驶员损失降至最低
  • 优化门电荷
  • 最小化开关损耗
  • AEC-Q101合格和PPAP能力
  • 适用于汽车应用
  • NVTFS4C05NWF−可湿法兰产品
  • 增强型光学输入
  • 符合RoHS

应用

  • 反向电池保护
  • DC-DC转换器输出驱动器
  • HID和LED照明
  • 信息娱乐电源
NVTFS4C05NTAG所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NVTFS4C05NTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVTFS4C05NTAG价格参考¥6.663468,你可以下载 NVTFS4C05NTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVTFS4C05NTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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