9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N7002E-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002E-T1-GE3参考价格为0.43000美元。Vishay Siliconix 2N7002E-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 240MA TO236。您可以下载2N7002E-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2N7002ET1G是MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23，包括2N7002E系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为300mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为26.7pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为260mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为2.5 Ohm@240mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.81nC@5V，Pd功耗为300mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为1.2纳秒，上升时间为1.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为260 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.8纳秒，典型开启延迟时间为1.7ns，信道模式为增强。
2N7002E-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 240MA SOT-23，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于70 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOT-23-3（TO-236），该设备为2N7002系列，该设备具有3 Ohm@250mA，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为7.5 Ohm，最大功率为350mW，Pd功耗为200mW，零件别名为2N7002E-E3，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、，SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为21pF@5V，Id连续漏电流为115 mA，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C的电流连续漏极Id为240mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
2N7002E-T1是由SI制造的Trans-MOSFET N-CH 60V 0.24A 3引脚SOT-23 T/R。2N7002E-T1以SOT-23封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 60 V 0.24A 3-引脚SOT-23T/R。
