该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
特色
低导通电阻:2.5Ω低阈值:2.1 V低输入电容:22 pF快速开关速度:7 ns低输入和输出泄漏
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 0.39450 | 0.39450 |
10+ | 0.31737 | 3.17377 |
30+ | 0.27881 | 8.36445 |
100+ | 0.24989 | 24.98950 |
500+ | 0.22675 | 113.37650 |
1000+ | 0.21518 | 215.18700 |
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该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。
低导通电阻:2.5Ω低阈值:2.1 V低输入电容:22 pF快速开关速度:7 ns低输入和输出泄漏
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...