特色
- 低RDS（打开）
- 高电流能力
- 低栅极电荷
- 符合RoHS
- AEC−Q101合格和PPAP能力−NVB5405N
应用
- 电子制动系统
- 电子动力转向
- 桥接电路
NVB5405NT4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Ta）、116A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 150W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 231
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 231+ | 9.41577 | 2175.04287 |
- 库存: 5600
- 单价: ¥9.41577
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,175.04
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 88 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 DPAK
- 导通电阻 Rds(ON) 5.8毫欧姆 @ 40A, 10V
- 最大功耗 3W (Ta), 150W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 16.5A（Ta）、116A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4000 pF @ 32 V
NVB5405NT4G 产品详情
功率MOSFET 40 V，116 A，单N沟道D2PAK
NVB5405NT4G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVBP | 泛达 (Panduit) | 附件种类: 空白面板 包装: 散装 系列: 网络接入 | ¥4,266.21296 |
 | NVBP1000 | 泛达 (Panduit) | N-TYPE VERTICAL BLANKING PANELS | ¥6,911.03032 |
 | NVBPA7018B | 泛达 (Panduit) | 附件种类: 空白面板 配套使用/相关货物: 机柜机架 包装: 散装 | ¥5,588.69407 |
 | NVB082N65S3F | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: DPAK-3 (TO-263-3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥67.4314 |
 | NVBGS4D1N15MC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、185A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 316W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥85.53865 |
 | NVBG020N090SC1 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 112A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 477W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥251.90806 |
 | NVBLS4D0N15MC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta）、187A（Tc） 最大功耗: 3.4W（Ta）、316W（Tc） 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥60.47822 |
 | NVBV-M329-8 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM3298 FTNG 90C M32 NW29 P | ¥162.02367 |
| NVBV-M207-6 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P | ¥84.52464 |
| NVBV-M253-11 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P | ¥132.76236 |
NVB5405NT4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVB5405NT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVB5405NT4G价格参考￥9.415770，你可以下载 NVB5405NT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVB5405NT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
