9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ401EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ401EP-T1_GE3参考价格$22.12000。Vishay Siliconix SQJ401EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8。您可以下载SQJ401EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ202EP-T1_GE3是MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如PowerPAKR SO-8 Dual，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该器件采用PowerPAKR SO-8双非对称供应商器件包，该器件具有2 N信道配置，FET类型为2 N信道（双），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-信道，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为975pF@6V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A，60A，最大Id Vgs的Rds为6.5mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为22nC@10V，Pd功耗为27W 48 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6 ns 5 ns，上升时间为3.2 ns 4.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为20 A 60 A，Vds漏极-源极击穿电压为12 V 12 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V 1 V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3 m欧姆4.5 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20 ns 28 ns，典型导通延迟时间为8.8ns 10.7ns，Qg栅极电荷为14.5nC 35.9nC，正向跨导最小值为49S 91S，信道模式为增强。
带有用户指南的SQJ200EP-T1_GE3，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 V 1 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于+/-20 V+/-20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如20 V 20 V，典型开启延迟时间设计为4 ns 7 ns，该器件还可以用作2N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道NPN，该器件采用Si技术，该器件具有PowerPAKR SO-8双非对称供应商器件封装，系列为Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR，上升时间为18 ns 17 ns，Rds On Max Id Vgs为8.8 mOhm@16A、10V，Rds On漏极-源极电阻为12.4 mOhm 6.3 mOhm，Qg栅极电荷为12 nC 29 nC，最大功率为27W、48W，Pd功耗为27W和48W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+175 C，输入电容Cis-Vds为975pF@10V，Id连续漏极电流为20 A 60 A，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@10V、正向跨导Min为55 S 60 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为13 ns 14 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为20A，60A，配置为2N通道，通道模式为增强。
带电路图的SQJ401EP-T1_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷盘封装，数据表中显示了用于SQ系列的系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-12V Vds漏极-源极击穿电压。
