9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ422EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ422EP-T1_GE3参考价格1.77000美元。Vishay Siliconix SQJ422EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 74A PPAK SO-8。您可以下载SQJ422EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ403EEP-T1_GE3，带有引脚细节，包括SQ系列，它们设计用于卷盘封装，产品名称显示在数据表注释中，用于TrenchFET，提供Si等技术特性，其最大工作温度范围为+175 C，以及-30 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。
SQJ410EP-T1_GE3和用户指南，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于N沟道晶体管极性，商品名显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
SQJ410EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQJ410EP-T1-GE3采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
