9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVP2106A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVP2106A参考价格为0.95000美元。Diodes Incorporated ZVP2106A封装/规格：MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3。您可以下载ZVP2106A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVP545GTA是MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223，包括ZVP545系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为450V，输入电容Ciss Vds为120pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为75mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为150 Ohm@50mA，10V，Vgs最大Id为4.5V@1mA，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-75mA，Vds漏极-源极击穿电压为-450V，Rds导通漏极-漏极电阻为150欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15s，典型导通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
ZVP1320FTA是MOSFET P-CH 200V 0.035A SOT23-3，包括3.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-200 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及8 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，系列为ZVP1320，上升时间为8 ns，Rds On Max Id Vgs为80 Ohm@50mA，10V，Rds On Drain Source电阻为80 Ohms，功率最大值为350mW，Pd功耗为330 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为50pF@25V，Id连续漏极电流为-35mA，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为8ns，漏极到源极电压Vdss为200V，电流连续漏极Id 25°C为35mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
ZVP545ASTZ是MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了15 ns的下降时间，提供了Id连续漏极电流特性，如-50 mA，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-92-3封装盒，该器件具有大量封装，Pd功耗为700mW，Rds漏极-源极电阻为150欧姆，上升时间为15ns，系列为ZVP545，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1P信道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.016000oz，Vds漏极-源极击穿电压为-350V，Vgs栅极-源极电压为20V。
ZVP545XDW，带有ZETEX/DIODES制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
