- 应用范围：汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器
- 极性：P-ch
- 生成：U-MOSⅥ
- 内部连接：单个
- AEC-Q101：合格
- RoHS兼容产品（#）：可用
- 组装基地：日本
特色
- 装配底座：-3.0 V
- 装配底座：104 mΩ
- 装配底座：130 mΩ
- 装配底座：890 pF
- 装配底座：19 nC
应用
汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器
TJ8S06M3L,LXHQ
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 27W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.24290 | 7.24290 |
| 10+ | 6.35926 | 63.59266 |
| 100+ | 4.87809 | 487.80930 |
| 500+ | 3.85612 | 1928.06000 |
| 1000+ | 3.08489 | 3084.89600 |
| 2000+ | 2.79568 | 5591.37400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥7.24290
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.24
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 场效应管类型 P-通道
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
- 工作温度 175摄氏度
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
- 最大功耗 27W（Tc）
- 最大栅源极电压 (Vgs) +10伏、-20伏
- 供应商设备包装 DPAK+
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 890 pF @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 104毫欧姆@4A，10V
- 材质 -
TJ8S06M3L,LXHQ 产品详情
TJ8S06M3L,LXHQ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TJ80S04M3L,LXHQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度 | ¥12.53022 |
| TJ8S06M3L,LXHQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 27W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度 | ¥7.2429 |
 | TJ80S04M3L(T6L1,NQ | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 100W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥3.68084 |
 | TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | 东芝 (Toshiba) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 27W（Tc） 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥3.68084 |
TJ8S06M3L,LXHQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TJ8S06M3L,LXHQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TJ8S06M3L,LXHQ价格参考￥7.242900，你可以下载 TJ8S06M3L,LXHQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TJ8S06M3L,LXHQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
