TJ80S04M3L(T6L1,NQ

Name: TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Brand: 东芝 (Toshiba)
SKU: 7146122-TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Price: 3.680842 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 100W（Tc）供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ）
品牌: 东芝 (Toshiba)
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规格参数

部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 40伏
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
制造厂商东芝 (Toshiba)
工作温度 175摄氏度（TJ）
最大功耗 100W（Tc）
漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 5.2毫欧姆 @ 40A, 10V
最大栅源极电压 (Vgs) +10伏、-20伏
供应商设备包装 DPAK+
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 158 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7770 pF @ 10 V

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 产品详情

应用范围：汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器
极性：P-ch
生成：U-MOSⅥ
内部连接：单个
AEC-Q101：合格
RoHS兼容产品（#）：可用
组装基地：日本

特色

装配底座：-3.0 V
装配底座：5.2 mΩ
装配底座：7.9 mΩ
装配底座：7770 pF
装配底座：158 nC

应用

汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器

TJ80S04M3L(T6L1,NQ 相关器件

型号	制造商	描述	价格
TJ80S04M3L,LXHQ	东芝 (Toshiba)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 100W（Tc）供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度	¥12.53022
TJ8S06M3L,LXHQ	东芝 (Toshiba)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 27W（Tc）供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度	¥7.2429
TJ80S04M3L(T6L1,NQ	东芝 (Toshiba)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 100W（Tc）供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ）	¥3.68084
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)	东芝 (Toshiba)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 27W（Tc）供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度（TJ）	¥3.68084

TJ80S04M3L(T6L1,NQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TJ80S04M3L(T6L1,NQ 由东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TJ80S04M3L(T6L1,NQ价格参考￥3.680842，你可以下载 TJ80S04M3L(T6L1,NQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TJ80S04M3L(T6L1,NQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！