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ISZ065N03L5SATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、40A(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 5.86674 5.86674
10+ 5.14970 51.49702
100+ 3.94738 394.73810
500+ 3.12024 1560.12050
1000+ 2.60020 2600.20100
5000+ 2.60020 13001.00500
  • 库存: 10000
  • 单价: ¥5.86675
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥5.87
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 最大功耗 -
  • 供应商设备包装 PG-TSDSON-8-FL
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 12A(Ta)、40A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 670 pF @ 15 V
  • 材质 -

ISZ065N03L5SATMA1 产品详情

ISZ065N03L5SATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ISZ065N03L5SATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ISZ065N03L5SATMA1价格参考¥5.866749,你可以下载 ISZ065N03L5SATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ISZ065N03L5SATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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