ISZ0703NLSATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、56A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、44W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-25 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 9.19848 | 9.19848 |
| 10+ | 8.23517 | 82.35177 |
| 100+ | 6.42300 | 642.30040 |
| 500+ | 5.30585 | 2652.92950 |
| 1000+ | 4.65428 | 4654.28800 |
| 5000+ | 4.65428 | 23271.44000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥9.19848
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.20
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23 nC@10 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）、44W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 13A（Ta）、56A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 7.3毫欧姆 @ 20A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@15A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1400 pF@30 V
- 供应商设备包装 PG-TSDSON-8-25
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | ISZ019N03L5SATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Ta）、40A（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.56737 |
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 | ISZ065N03L5SATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、40A（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.86675 |
| ISZ0703NLSATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Ta）、56A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta）、44W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-25 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.19848 |
| ISZ0602NLSATMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、64A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Ta）、60W（Tc） 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.12122 |
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 | ISZ-2510 | 应美盛 (TDK InvenSense) | 种类: 数字的 输出类别: IOC、 SPI 电源电压: 1.71V~3.6V 工作电流: 2.8毫安 包装/外壳: 16-VFQFN外露焊盘 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥54.6839 |
| ISZ-1655 | EVBS | ¥0.00 |
ISZ0703NLSATMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ISZ0703NLSATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ISZ0703NLSATMA1价格参考￥9.198483，你可以下载 ISZ0703NLSATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ISZ0703NLSATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
