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IGOT60R070D1AUMA3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 159.05408 159.05408
10+ 146.19793 1461.97937
100+ 126.25099 12625.09900
800+ 126.25099 101000.79200
  • 库存: 0
  • 单价: ¥159.05408
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥159.05
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 最大功耗 125W(Tc)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 氮化镓
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6毫安时为1.6伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -10伏
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 380 pF @ 400 V
  • 供应商设备包装 PG-DSO-20-87
  • 包装/外壳 20 PowerSOIC(0.433“,11.00毫米宽)

IGOT60R070D1AUMA3 产品详情

IGOT60R070D1AUMA3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IGOT60R070D1AUMA3 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IGOT60R070D1AUMA3价格参考¥159.054084,你可以下载 IGOT60R070D1AUMA3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IGOT60R070D1AUMA3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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