IGOT60R042D1AUMA2
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 供应商设备包装: PG-DSO-20-87
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥41.61723
-
数量:
- +
- 总计: ¥41.62
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 技术 氮化镓
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 供应商设备包装 PG-DSO-20-87
- 包装/外壳 20 PowerSOIC（0.433“，11.00毫米宽）
IGOT60R042D1AUMA2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| IGOT60R070D1AUMA3 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥159.05408 |
 | IGO60R070D1AUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-DSO-20-85 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥113.42381 |
 | IGOT60R070D1AUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥179.37332 |
| IGOT60R042D1AUMA2 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 | ¥41.61723 |
| IGOT60R070D1E8220AUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-DSO-20-87 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.26515 |
| IGO60R070D1E8220AUMA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: PG-DSO-20-85 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.88219 |
| IGO60R070D1 | 英飞凌 (Infineon) | ¥159.75447 |
IGOT60R042D1AUMA2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IGOT60R042D1AUMA2 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IGOT60R042D1AUMA2价格参考￥41.617225，你可以下载 IGOT60R042D1AUMA2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IGOT60R042D1AUMA2规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
