9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG7401SFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG7401SFG-7参考价格0.63000美元。Diodes Incorporated DMG7401SFG-7封装/规格：MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8。您可以下载DMG7401SFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG6968UTS-13是MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP，包括DMG6968系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.005573盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-TSSOP（0.173“，4.40mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-TSSOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道）公共漏极，功率最大值为1W，晶体管类型为2 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为143pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.2A，最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为950mV@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为8.8nC@4.5V，Id连续漏极电流为5.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds漏极源极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道。
DMG6968UQ-7是MOSFET N-Ch Enh模式FET 20Vdss 12Vgss 30A，包括900 mV Vgsth栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间特性，如54 ns，典型的关闭延迟时间设计为613 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMG6968系列，该器件的上升时间为66 ns，漏极-源极电阻Rds为21 mOhms，Qg栅极电荷为8.5 nC，Pd功耗为1.3 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT23，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为6.5 A，正向跨导最小值为8 S，下降时间为205 ns，配置为单一，信道模式为增强。
DMG7401SFG-13是MOSFET MOSFET BVDSS：25V-30 PowerDI3333-8 T&R 3K，包括9.8 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了用于PowerDI-3333的封装情况，该PowerDI-333提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，器件的单位重量为0.002540盎司，器件具有30 V的Vds漏极-源极击穿电压。
