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PMX100UNZ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta) 最大功耗: 300mW (Ta), 4.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN0603-3(SOT8013) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.54902 3.54902
10+ 2.65090 26.50901
100+ 1.65283 165.28300
500+ 1.13105 565.52550
1000+ 0.87001 870.01700
2000+ 0.78303 1566.06000
5000+ 0.73950 3697.50000
15000+ 0.67424 10113.63000
30000+ 0.65251 19575.39000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.54902
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 900mV @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.3 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1.3A(Ta)
  • 供应商设备包装 DFN0603-3(SOT8013)
  • 包装/外壳 0201(0603公制)
  • 导通电阻 Rds(ON) 210欧姆@1A,4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 144 pF@10 V
  • 最大功耗 300mW (Ta), 4.7W (Tc)
  • 材质 -
  • 色彩/颜色 -

PMX100UNZ 产品详情

PMX100UNZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PMX100UNZ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PMX100UNZ价格参考¥3.549021,你可以下载 PMX100UNZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PMX100UNZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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