MDmesh M5功率MOSFET针对高功率PFC和PWM拓扑进行了优化。主要特征包括每个硅区域的低导通状态损耗和低栅极电荷。它们设计用于节能、紧凑和可靠的硬开关应用，如太阳能转换器、消费品电源和电子照明控制。
特色
- Max247全球最佳RDS（打开）
- 更高的VDSSrating
- 高dv/dt能力
- 卓越的切换性能
- 易于驾驶
- 100%雪崩测试
STY139N65M5
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A（Tc） 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 279.50351 | 279.50351 |
| 10+ | 257.76756 | 2577.67568 |
| 100+ | 230.38361 | 23038.36120 |
- 库存: 0
- 单价: ¥246.69317
-
数量:
- +
- 总计: ¥279.50
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 130A（Tc）
- 供应商设备包装 最大247
- 最大功耗 625W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 17毫欧姆@65A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 363 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15600 pF@100 V
STY139N65M5 产品详情
N通道MDmesh™ M5系列，STMicroelectronics
STY139N65M5 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | STY | 伊顿巴斯曼 (Eaton) | FUSE TRON BOX COVER UNIT | ¥1,081.79954 |
 | STYLUS-CAP | 布雷迪 (Brady) | STYLUS FOR CAPACITIVE DISPLAYS | ¥97.56186 |
 | STY60NK30Z | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 450W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥86.33537 |
 | STY60NM50 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 560W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥162.74796 |
| STY30N50E | 安盛美 (onsemi) | NFET T0264 SPCL 500V | ¥34.76592 |
 | STY100NM60N | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 98A（Tc） 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥192.00928 |
 | STY60NM60 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 560W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥154.20134 |
 | STY50N105DK5 | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥197.87603 |
 | STYLUS | 布雷迪 (Brady) | ASSY, PKG, ACCESSORY, STYLUS, PL | ¥116.03126 |
| STYLUS-10 | STYLUS FOR IVU TOUCH SCREEN (PAC | ¥0.00 |
STY139N65M5所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STY139N65M5 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STY139N65M5价格参考￥246.693174，你可以下载 STY139N65M5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STY139N65M5规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
