NVBG020N120SC1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.6A (Ta), 98A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 468W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 327.52393 | 327.52393 |
| 10+ | 305.57070 | 3055.70708 |
| 25+ | 302.08107 | 7552.02697 |
| 800+ | 302.08129 | 241665.03680 |
- 库存: 0
- 单价: ¥297.75562
-
数量:
- +
- 总计: ¥327.52
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 技术 SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
- 包装/外壳 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 20伏
- 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@60A，20V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.3V @ 20毫安
- 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-15伏
- 供应商设备包装 D2PAK-7
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.6A (Ta), 98A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 220 nC@20 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2943 pF@800 V
- 最大功耗 3.7W (Ta), 468W (Tc)
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | NVBLS4D0N15MC | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta）、187A（Tc） 最大功耗: 3.4W（Ta）、316W（Tc） 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥60.47822 |
 | NVBV-M329-8 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM3298 FTNG 90C M32 NW29 P | ¥162.02367 |
| NVBV-M207-6 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM2076 FTNG 90C M20 NW17 P | ¥84.52464 |
| NVBV-M253-11 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | PA NVBVM25311 FTNG 90C M25NW23 P | ¥132.76236 |
NVBG020N120SC1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVBG020N120SC1 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVBG020N120SC1价格参考￥297.755619，你可以下载 NVBG020N120SC1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVBG020N120SC1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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