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2N7002BKV，115是MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，包装箱如SOT-563、SOT-666中使用的数据表注释所示，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计为在表面安装以及SOT-6660供应商设备包中工作，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为350mW，该器件提供60V漏极到源极电压Vdss，该器件具有50pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为340mA，最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V。
2N7002BKS115，带有NXP制造的用户指南。2N7002BKS115采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
2N7002BKT，带有NXP制造的电路图。2N7002BKT在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个。
2N7002BKV，带恩智浦制造的EDA/CAD模型。2N7002BKV在SOT866封装中提供，是FET阵列的一部分。
