一般说明
这些N通道逻辑电平增强模式功率场
使用Fairchild的专利，
高电池密度、DMOS技术。这种非常高的密度
该工艺特别适合于最小化导通电阻。
这些设备特别适用于低电压
在笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA中的应用
卡和其他电池供电电路
开关和低在线功率损耗是非常需要的
小外形表面安装封装。
特征
1.3 A，20 V。Rds（ON）=0.21 W@Vgs=2.7 V
Rds（ON）=0.16 W@Vgs=4.5 V。
行业标准外形SOT-23表面安装组件
采用脂基SuperSOTTM-3设计
以及电气能力。
用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
优异的导通电阻和最大直流电流
能力。
一般说明
这些N通道逻辑电平增强模式功率场
使用Fairchild的专利，
高电池密度、DMOS技术。这种非常高的密度
该工艺特别适合于最小化导通电阻。
这些设备特别适用于低电压
在笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA中的应用
卡和其他电池供电电路
开关和低在线功率损耗是非常需要的
小外形表面安装封装。
特征
1.3 A，20 V。Rds（ON）=0.21 W@Vgs=2.7 V
Rds（ON）=0.16 W@Vgs=4.5 V。
行业标准外形SOT-23表面安装组件
采用脂基SuperSOTTM-3设计
以及电气能力。
用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
优异的导通电阻和最大直流电流
能力。
特色
- 1.4A，30伏
- RDS（开启）=160 mΩ@VGS=10 V
- RDS（ON）=250 mΩ@VGS=4.5 V
- 超低栅极电荷
- 采用专有SuperSOTTM-3设计的SOT-23表面安装封装符合行业标准，具有卓越的热和电气性能
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
