9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ858EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ858EP-T1_GE3参考价格为0.65340美元。Vishay Siliconix SQJ858EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8。您可以下载SQJ858EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ858AEP-T1_GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为48W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2450pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为58A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.3mOhm@14A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V，Pd功耗为48W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为36nC。
SQJ858AEP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SQ系列，上升时间为9 ns，漏极-源极电阻Rds为6.3 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为48 W，部件别名为SQJ848AEP-T1-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为58 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
SQJ848EP-T1-GE3是MOSFET 40V 30A 68W N-Ch Automotive，包括单一配置，它们设计为在30 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作SO-8包装箱。此外，封装为Reel，该器件以SQJ848EP-GE3部件别名提供，该器件具有68 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为15 nC，Rds漏极-源极电阻为9 mOhm，系列为SQ系列，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.017870盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SQJ848EPT1-GE3，带有VISAHY制造的EDA/CAD模型。SQJ848EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
