9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG1013UWQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG1013UWQ-13参考价格为0.05738美元。Diodes Incorporated DMG1013UWQ-13封装/规格：MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323。您可以下载DMG1013UWQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1013T-7是MOSFET P-CH 20V 0.46A SOT-523，包括DMG1013系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000071盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-523，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-523，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为270mW，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为59.76pF@16V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为460mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为700mOhm@350mA，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.622nC@4.5V，Pd功耗为270mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.7 ns，上升时间为8.1ns，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为-460mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为1欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28.4nS，典型接通延迟时间为5.1ns，Qg栅极电荷为622.4pC，正向跨导Min为0.9S。
DMG1012UW-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMG1012UW-7-F采用SOT323封装，是IC芯片的一部分。
DMG1013T，电路图由DIODES制造。DMG1013T采用SOT-523封装，是FET的一部分-单个。
DMG1013T-7-F，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMG1013T-7-F采用SOT-523封装，是IC芯片的一部分。
