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TK8S06K3L(T6L1,NQ)

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2000

数量 单价 合计
2000+ 3.68084 7361.68400
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10 nC@10 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8A (Ta)
  • 最大功耗 25W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 54毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 供应商设备包装 DPAK+

TK8S06K3L(T6L1,NQ) 产品详情

  • 应用范围:汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅣ
  • 内部连接:单个
  • AEC-Q101:合格
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:3.0 V
  • 装配底座:80 mΩ
  • 装配底座:54 mΩ
  • 装配底座:400 pF
  • 装配底座:10 nC

应用

汽车/电机驱动器/DC-DC转换器/开关稳压器
TK8S06K3L(T6L1,NQ)所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK8S06K3L(T6L1,NQ) 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK8S06K3L(T6L1,NQ)价格参考¥3.680842,你可以下载 TK8S06K3L(T6L1,NQ)中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK8S06K3L(T6L1,NQ)规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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