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C3M0120090D

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 97W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 83.07606 83.07606
10+ 75.05817 750.58173
100+ 62.14118 6214.11850
500+ 54.11170 27055.85300
1000+ 47.12955 47129.55000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥83.07606
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥83.08
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 23A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 900 V
  • 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@15A,15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@3毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 414 pF @ 600 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.3 nC@15 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +18V、-8V
  • 最大功耗 97W(Tc)

C3M0120090D 产品详情

Wolfspeed/Cree SiC C3M MOSFET可实现更高的开关频率,并减少电感器、电容器、滤波器和变压器组件的尺寸。SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和降低的冷却要求。MOSFET还增加了功率密度和系统开关频率。
C3M0120090D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0120090D 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0120090D价格参考¥83.076063,你可以下载 C3M0120090D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0120090D规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...

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