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NP45N06VUK-E1-AY

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 1.8W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-3 工作温度: 175摄氏度
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 9.34334 9.34334
10+ 8.33657 83.36578
100+ 6.49833 649.83300
500+ 5.36814 2684.07400
1000+ 4.45119 4451.19700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.34334
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.34
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 工作温度 175摄氏度
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 45A (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-263-3
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.6毫欧姆 @ 23A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2540 pF@25 V
  • 最大功耗 1.8W(Ta)、75W(Tc)

NP45N06VUK-E1-AY 产品详情

NP45N06VUK-E1-AY所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NP45N06VUK-E1-AY 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NP45N06VUK-E1-AY价格参考¥9.343341,你可以下载 NP45N06VUK-E1-AY中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NP45N06VUK-E1-AY规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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