9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA9N90-F109，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQA9N90-F109价格参考2.37000美元。onsemi FQA9N90-F109封装/规格：MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN。您可以下载FQA9N90-F109英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQA90N15_F109带有引脚细节，包括卡套管封装，设计用于0.225789 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-3P-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供6 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为410 ns，上升时间为760 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为90 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds漏极漏极-漏极电阻为18m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为470ns，典型接通延迟时间为105ns，沟道模式为增强。
FQA9N50是FSC制造的MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P。FQA9N50以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-3P、N通道500V 9.6A（Tc）160W（Tc）通孔TO-3P。
FQA9N90，带有FAIRCHILD制造的电路图。FQA9N90采用TO-3P封装，是FET的一部分-单体。
