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2N7002BKW是MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-70、SOT-323，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及SOT-323供应商设备包，该设备也可用于MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外，最大功率为275mW，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有50pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为310mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V。
2N7002BKV，115是MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于SOT-666供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车、AEC-Q101、TrenchMOS？、？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如1.6 Ohm@500mA，10V，Power Max设计为工作在350mW，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备为表面安装安装型，该设备具有50pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为0.6nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为340mA。
2N7002BKV，NXP制造的电路图。2N7002BKV在SOT866封装中提供，是FET阵列的一部分。
