C3M0120065J
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 61.34736 | 61.34736 |
| 10+ | 55.43715 | 554.37157 |
| 25+ | 52.85868 | 1321.46710 |
| 100+ | 45.89680 | 4589.68090 |
| 250+ | 43.83403 | 10958.50775 |
| 500+ | 39.96632 | 19983.16100 |
| 1000+ | 34.80937 | 34809.37700 |
| 2500+ | 33.52014 | 83800.35250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥61.34736
-
数量:
- +
- 总计: ¥61.35
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 技术 SiCFET（碳化硅）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
- 供应商设备包装 TO-263-7
- 包装/外壳 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 最大功耗 86W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 21A（Tc）
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-8伏
- 导通电阻 Rds(ON) 157毫欧姆@6.76A，15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 1.86毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 640 pF @ 400 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC @ 15 V
C3M0120065J 产品详情
Wolfspeed/Cree SiC C3M MOSFET可实现更高的开关频率，并减少电感器、电容器、滤波器和变压器组件的尺寸。SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和降低的冷却要求。MOSFET还增加了功率密度和系统开关频率。
C3M0120065J 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | C3M | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 端接: 焊杯 安装类别: 面板安装 | ¥62.79594 |
 | C3M580000L002 | 艾博康 (Abracon) | CLOCK OSCILLATOR | ¥12.71853 |
 | C3M0120090J-TR | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥85.46622 |
 | C3M0021120D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 469W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥267.4803 |
 | C3M0030090K | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 149W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥285.2254 |
 | C3M0015065D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 416W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥331.86968 |
 | C3M0025065D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 97A（Tc） 最大功耗: 326W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥201.85962 |
 | C3M0120090J | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.38838 |
| C3M0075120D-A | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥128.34419 |
| C3M0075120K-A | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥128.34419 |
C3M0120065J所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，C3M0120065J 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产，可通过久芯网进行购买。C3M0120065J价格参考￥61.347363，你可以下载 C3M0120065J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询C3M0120065J规格参数、现货库存、封装信息等信息！
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
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