特色
- 优化布局，实现卓越的高速信号完整性
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小2x2 mm占地面积
- ESD保护门
- AEC-Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 汽车
NVLJS053N12MCLTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 620mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 2.50713 | 7521.39000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.50713
-
数量:
- +
- 总计: ¥7,521.39
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 6-UDFN Exposed Pad
- 漏源电压标 (Vdss) 120伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.8 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4.8A (Ta)
- 供应商设备包装 6-UDFN (2x2)
- 导通电阻 Rds(ON) 53毫欧姆 @ 5.2A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 30A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 520 pF @ 60 V
- 最大功耗 620mW (Ta)
NVLJS053N12MCLTAG 产品详情
汽车功率MOSFET。30V 245mA 7Ω双N通道WDFN6，带ESD保护，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVLJS053N12MCLTAG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVLJD4007NZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 245毫安 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.30372 |
 | NVLUS4C12NTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.44618 |
 | NVLUS4C12NTAG | 安盛美 (onsemi) | NVLUS4C12 - SINGLE N-CHANNEL COO | ¥1.95558 |
| NVLJS053N12MCLTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 620mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.50713 |
 | NVLJD4007NZTBG | 安盛美 (onsemi) | NVLJD4007 - DUAL N-CHANNEL SMALL | ¥1.01401 |
NVLJS053N12MCLTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVLJS053N12MCLTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVLJS053N12MCLTAG价格参考￥2.507130，你可以下载 NVLJS053N12MCLTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVLJS053N12MCLTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
