特色
- 优化布局，实现卓越的高速信号完整性
- 用于快速开关的低栅极电荷
- 小2x2 mm占地面积
- ESD保护门
- AEC-Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 汽车
NVLJD4007NZTAG
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 245毫安 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥1.30372
-
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.75nC@4.5V
- 部件状态 过时的
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
- 供应商设备包装 6-WDFN (2x2)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5V时为20皮法
- 漏源电流 (Id) @ 温度 245毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 7欧姆 @ 125毫安, 4.5V
- 最大功率 755mW
NVLJD4007NZTAG 产品详情
汽车功率MOSFET。30V 245mA 7Ω双N通道WDFN6，带ESD保护，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVLJD4007NZTAG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| NVLJD4007NZTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 245毫安 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.30372 |
 | NVLUS4C12NTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.44618 |
 | NVLUS4C12NTAG | 安盛美 (onsemi) | NVLUS4C12 - SINGLE N-CHANNEL COO | ¥1.95558 |
 | NVLJS053N12MCLTAG | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 620mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.50713 |
 | NVLJD4007NZTBG | 安盛美 (onsemi) | NVLJD4007 - DUAL N-CHANNEL SMALL | ¥1.01401 |
NVLJD4007NZTAG所属分类：场效应晶体管阵列，NVLJD4007NZTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVLJD4007NZTAG价格参考￥1.303722，你可以下载 NVLJD4007NZTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVLJD4007NZTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
