C3M0065100J-TR
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 113.5W（Tc） 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1600
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1600+ | 88.23880 | 141182.08320 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
- 技术 SiCFET（碳化硅）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 15伏
- 供应商设备包装 TO-263-7
- 包装/外壳 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +15伏、-4伏
- 导通电阻 Rds(ON) 78毫欧姆 @ 20A, 15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@5毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 15 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 600 V
- 最大功耗 113.5W（Tc）
C3M0065100J-TR 产品详情
Wolfspeed C3M0065100J SiC功率MOSFET减少了开关损耗，并使栅极振铃最小化。这种MOSFET提高了系统开关频率，适合于快速开关器件。C3M0065100J MOSFET包括13ns的典型关断和接通延迟时间。该MOSFET的工作温度范围为-55�C至150�C.C3M0065100J SiC MOSFET提供35A的连续漏极电流（Id）、1kV的VDS、65m RDS（on）和35nC Qg。该MOSFET具有高系统效率和提高功率密度。
C3M0065100J-TR 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | C3M | 开关工艺 (Switchcraft) | 连接端子种类: 插座，公销 主要材质: 金属 针位数: three 端接: 焊杯 安装类别: 面板安装 | ¥62.79594 |
 | C3M580000L002 | 艾博康 (Abracon) | CLOCK OSCILLATOR | ¥12.71853 |
 | C3M0120090J-TR | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥85.46622 |
 | C3M0021120D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 469W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥267.4803 |
 | C3M0030090K | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 149W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥285.2254 |
 | C3M0015065D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 416W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥331.86968 |
 | C3M0025065D | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 97A（Tc） 最大功耗: 326W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥201.85962 |
 | C3M0120090J | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.38838 |
| C3M0075120D-A | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥128.34419 |
| C3M0075120K-A | 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥128.34419 |
C3M0065100J-TR所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，C3M0065100J-TR 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产，可通过久芯网进行购买。C3M0065100J-TR价格参考￥88.238802，你可以下载 C3M0065100J-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询C3M0065100J-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息！
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
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