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FDI038AN06A0是MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于FDI038AN06A0_NL，提供单位重量功能，如0.073511盎司，安装样式设计用于通孔，以及I2PAK-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为310 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为144 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-电源电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型接通延迟时间为17ns，沟道模式为增强。
FDI038AN06AO，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDI038AN06AO采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
FDI045N10A是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3。FDI045N10A可用于TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3、N沟道100V 120B（Tc）263W（Tc）通孔I2PAK。
