9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQA11N90C，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQA11N90C参考价格为0.424美元。onsemi FQA11N90C封装/规格：MOSFET N-CH 900V 11A TO3P。您可以下载FQA11N90C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如FQA11N90C价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，比如FQA11N90C库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
FQA11N90_F109带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.225789盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-3P-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单配置使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供300 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为135 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为11.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds漏极漏极-漏极电阻为960mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为165ns，典型接通延迟时间为65ns，沟道模式为增强。
FQA11N40，带有FSC制造的用户指南。FQA11N40采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
FQA11N90是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P。FQA11N90以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P、N沟道900V 11.4B（Tc）300W（Tc）通孔TO-3P和Trans MOSFET N-CH900V 11.4A-3-Pin（3+Tab）TO-3P导轨。
