9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB09N03LAT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB09N03LAT参考价格$3.414。Infineon Technologies IPB09N03LAT封装/规格：MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3。您可以下载IPB09N03LAT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPB097N08N3 G是MOSFET N-Ch 80V 70A D2PAK-2 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘包装，数据表注释中显示了用于IPB097NO8N3GATMA1 SP000474200的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.068654盎司，商品名设计用于OptiMOS，以及to-263-3包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为100 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为46 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Rds导通漏极-电源电阻为9.7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPB096N03LG，带有INF制造的用户指南。IPB096NO3LG采用TO-263-2封装，是FET的一部分-单个。
IPB097N08N3G，带有Infineon制造的电路图。IPB097N08N3G在TO263封装中提供，是FET的一部分-单个。
