9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FQB2N30TM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FQB2N30TM参考价格为1.902美元。onsemi FQB2N30TM封装/规格：MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK。您可以下载FQB2N30TM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQB27P06TM是MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK，包括QFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-263-3、D2PAK（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为3.75W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1400pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为27A（Tc），最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@13.5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为43nC@10V，Pd功耗为3.75 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为90 ns，上升时间为185ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为-27A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为55mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为18ns，正向跨导最小值为12.4S，信道模式是增强。
FQB27N25TM，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FQB27N25TM在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
FQB27N25TM_F085，电路图由Fairchild制造。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 250V、MOSFET 250V、0.11OHM、25.5A、N-CH MOSFET”。
FQB27P06，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FQB27P06在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
