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FQB7P20TM是MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK，包括卷轴封装，其设计为单位重量0.046296盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供3.13 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-7.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds导通漏极-漏极电阻为690 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30 ns，典型接通延迟时间为15 ns，正向跨导最小值为4.4 S，沟道模式为增强。
FQB7P20TM_F085和用户指南，包括-200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.046296 oz单位重量运行，数据表注释中显示了用于1 P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计为在Si中工作，以及690 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件提供1信道信道数，该器件具有-7.3 a的Id连续漏电流。
FQB85N06是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK。FQB85N06采用TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK。
